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J-GLOBAL ID：201002275928725164   Reference number：10A1465416

Relationship between collector geometry and collector characteristics of vacuum transistor

真空トランジスタのコレクタ形状とコレクタ特性

Author (4)： GOTO YASUHITO (京大 大学院工学研究科) ,  IKEDA KEITA (京大 大学院工学研究科) ,  OUE WATARU (京大 大学院工学研究科) ,  TSUJI HIROSHI (京大 大学院工学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 110  Issue： 249(ED2010 128-141)  Page： 51-54  Publication year： Oct. 18, 2010 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *transistor ,  *collector(semiconductor) ,  *field emission ,  electron source ,  gate(semiconductor) ,  electron beam ,  equation of motion

JST classification (2)： Electron and ion sources  (BD02020U) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (4)：

• 後藤. 信学技報. 2009, ED2009-119, 17
• IKEDA, K. Tech. Dig. of 23rd International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC2010, July 26-30, 2010, Palo Alto, U.S.A. 2010, 11.1
• GOTOH, Y. Rev. Sci. Instrum. 2002, 73, 758
• ISHIKAWA, J. Nucl. Instrum. Meth. B. 2004, 237, 390

Terms in the title (3)： 真空 ,  トランジスタ ,  コレクタ