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J-GLOBAL ID：201002276083765974   Reference number：10A0343626

Highly Scalable Hafnium Oxide Memory with Improvements of Resistive Distribution and Read Disturb Immunity

抵抗分布と読取擾乱耐性を改善した高いスケーラビリティの酸化ハフニウムメモリ

Author (16)： CHEN Y. S. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Y. S. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LEE H. Y. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  LEE H. Y. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN P. S. (MingShin Univ. Sci. & Technol., Hsinchu, TWN) ,  GU P. Y. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHEN C. W. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  LIN W. P. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  LIU W. H. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  HSU Y. Y. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  SHEU S. S. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHIANG P. C. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHEN W. S. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHEN F. T. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  LIEN C. H. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  TSAI M.-J. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2009  Page： 95-98  Publication year： 2009 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： distribution ,  data reading ,  resistance (endure) ,  scalability ,  hafnium oxide ,  *RAM ,  nonvolatile memory ,  memory characteristic ,  *resistance random access memory
Semi thesaurus term： *resistance random access memory ,  disturb immunity ,  resistive distribution

JST classification (1)： Memory units  (JC04060F)

Terms in the title (6)： 分布 ,  読取 ,  擾乱 ,  耐性 ,  スケーラビリティ ,  酸化ハフニウム