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J-GLOBAL ID：201002278246009210   Reference number：10A0277264

Integration of Single-Electron Transistors Using Field-Emission-Induced Electromigration

電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーションによる単電子トランジスタの集積化

Author (6)： UENO SHUNSUKE (東京農工大 大学院共生科学技術研究院) ,  TOMODA YUSUKE (東京農工大 大学院共生科学技術研究院) ,  KUME WATARI (東京農工大 大学院共生科学技術研究院) ,  HANADA MICHINOBU (東京農工大 大学院共生科学技術研究院) ,  TAKIYA KAZUTOSHI (東京農工大 大学院共生科学技術研究院) ,  SHIRAKASHI JUN'ICHI (東京農工大 大学院共生科学技術研究院)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 109  Issue： 422(ED2009 196-211)  Page： 35-39  Publication year： Feb. 15, 2010 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *LSI ,  *single electron transistor ,  *electromigration ,  tunnel junction ,  electric current
Semi thesaurus term： 電界放射電流

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： 電流誘起 ,  エレクトロマイグレーション ,  単電子トランジスタ ,  集積化