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J-GLOBAL ID：201002282898549222   Reference number：10A0050472

FinFET Metal Gate Hi-k Etch for sub-32nm technology

32nm以降技術用FinFET金属ゲート高kエッチ

Author (8)： KAMARTHY G. (Lam Res. Corp.-Fremont, CA, USA) ,  LO G. (Lam Res. Corp.-Fremont, CA, USA) ,  ORAIN I. (Lam Res. Corp.-Fremont, CA, USA) ,  KIMURA Y. (Lam Res. Corp.-Fremont, CA, USA) ,  DESHPANDE R. (Lam Res. Corp.-Fremont, CA, USA) ,  YAMAGUCHI Y. (Lam Res. Corp.-Fremont, CA, USA) ,  LEE C. (Lam Res. Corp.-Fremont, CA, USA) ,  BRALY L. (Lam Res. Corp.-Fremont, CA, USA)
Material： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proc Int Symp Dry Process)
Volume： 31st  Page： 43-44  Publication year： 2009 
JST Material Number： Y0378B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor process ,  FET ,  gate(semiconductor) ,  dielectric material ,  *etching ,  scanning electron microscope ,  transmission electron microscope ,  MOSFET ,  selectivity
Semi thesaurus term： 32nm node ,  *FinFET ,  TiN ,  multi-gate FET ,  *metal gate ,  *high-k material ,  selective etching

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： FinFET ,  金属ゲート ,  エッチ