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J-GLOBAL ID：201002285107539317   Reference number：10A0654764

Surface morphology at initial growth stage of GaP grown on Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy

MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面

Author (5)： TAKANO YASUSHI (静岡大 工) ,  YAMADA HIROKI (静岡大 工) ,  MISAKI TATSURU (静岡大 工) ,  TAKAGI TATSUYA (静岡大 工) ,  FUKE SHUNRO (静岡大 工)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 110  Issue： 29(ED2010 17-32)  Page： 75-79  Publication year： May. 06, 2010 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： MOCVD ,  wafer ,  *gallium phosphide ,  *crystal growth ,  measurement data ,  surface structure ,  *crystal nucleation ,  *lamellar structure ,  domain ,  *Si wafer ,  *surface morphology ,  structure
Semi thesaurus term： *anti-phase domain ,  *silicon substrate ,  *surface morphology

JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (5)： MOVPE ,  成長 ,  シリコン基板 ,  GAP ,  初期