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J-GLOBAL ID：201002291050579813   Reference number：10A1124825

The two- to three-dimensional growth transition of InAs/GaAs epitaxy layer studied by reflectance difference spectroscopy

反射率差分光法により研究したInAs/GaAsエピタクシー層の2次元から3次元への成長転移

Author (6)： ZHOU G. Y. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  CHEN Y. H. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  TANG C. G. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  LIANG L. Y. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  JIN P. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  WANG Z. G. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 108  Issue： 8  Page： 083513  Publication year： Oct. 15, 2010 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： spectroscopy ,  *gallium arsenide ,  indium arsenide ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  wetting(liquid) ,  film thickness ,  atomic force microscope ,  *MBE growth ,  two dimension ,  three dimension ,  thin film growth
Semi thesaurus term： *reflectance difference spectroscopy

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： 反射率差分光法 ,  研究 ,  InAs ,  GaAs ,  エピタクシー層 ,  2次元 ,  3次元 ,  成長