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J-GLOBAL ID：201003000161179384

エピタキシャル層付きIII族窒化物基板、及びそれを用いた半導体デバイス

Inventor：
石橋 恵二

About 石橋 恵二


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (5)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良 ,  柏岡 潤二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009101928
Publication number (International publication number)：2010166014
Application date： Apr. 20, 2009
Publication date： Jul. 29, 2010
Summary：
【課題】安定した表面を有する、3族窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】エピタキシャル層付きIII族窒化物基板10は、III族窒化物基板と、エピタキシャル層と、を備えている。III族窒化物基板とエピタキシャル層との界面における1cm3当たりのC原子の個数が2×1016個以上5×1017個以下であり、当該界面における1cm3当たりのp型金属元素の原子の個数が2×1016個以上1×1017個以下である。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
III族窒化物基板と、 エピタキシャル層と、 を備え、 前記III族窒化物基板と前記エピタキシャル層との界面における1cm3当たりのC原子の個数が2×1016個以上5×1017個以下であり、該界面における1cm3当たりのp型金属元素の原子の個数が2×1016個以上1×1017個以下である、 エピタキシャル層付きIII族窒化物基板。
IPC (6)：
H01L 21/306 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (4)：
H01L21/302 104Z ,  H01L33/00 186 ,  H01L21/205 ,  H01L29/80 H
F-Term (27)：
5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DB19 ,  5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045BB04 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045DA59 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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