磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード、電子装置、磁気抵抗効果素子の製造方法、及び、磁気ランダムアクセスメモリの製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (20)：鈴江武彦 , 蔵田昌俊 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 勝村紘 , 河井将次 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓 , 市原卓三 , 山下元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009242854
Publication number (International publication number)：2010021580
Application date： Oct. 21, 2009
Publication date： Jan. 28, 2010
Summary：

【課題】微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を保ち、大容量化を実現する。【解決手段】本発明の磁気抵抗効果素子は、垂直磁化を有する記録層11と固定層12との間に非磁性層13を有し、非磁性層13と固定層12との間に磁性金属層18を有し、非磁性層13と記録層11との間に磁性金属層19を有する。非磁性層13は、(001)面が配向したMgOを備え、磁性金属層18,19は、(001)面が配向した、Co、Fe、Co-Fe合金、Fe-Ni合金から選ばれる磁性材料を備え、記録層11と固定層12の少なくとも一方は、Fe、Co、Niの少なくとも1つを含む層と、Cr、Pt、Pd、Ir、Rh、Ru、Os、Re、Au、Cuの少なくとも1つを含む層とが交互に積層され、磁性金属層19のダンピング定数は、記録層11のダンピング定数より小さい。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

スピン偏極電子を磁性体に流すことで情報が記録される磁気抵抗効果素子であって、磁性材料を備え、膜面に対して垂直方向に向く第1の磁化を有する第1の固定層と、磁性材料を備え、膜面に対して垂直方向に向く第2の磁化を有し、前記スピン偏極電子の作用により前記第2の磁化の方向が反転可能な記録層と、前記第1の固定層と前記記録層との間に設けられ、前記第1の固定層に対向する第1の面と前記記録層に対向する第2の面とを有する第1の非磁性層と、前記第1の非磁性層の前記第1の面と前記第1の固定層との間に設けられ、Fe、Co、Niのうち1つ以上の元素を含む第1の磁性金属層と、前記第1の非磁性層の前記第2の面と前記記録層との間に設けられ、Fe、Co、Niのうち1つ以上の元素を含む第2の磁性金属層とを具備し、前記第1の非磁性層は、(001)面が配向したMgOを備え、前記第1及び第2の磁性金属層の少なくとも一方は、bcc構造を有し(001)面が配向した、Co、Fe、Co-Fe合金、Fe-Ni合金から選ばれる磁性材料を備え、前記第1の固定層及び前記記録層の少なくとも一方は、Coと、Cr、Ta、Nb、V、W、Hf、Ti、Zr、Pt、Pd、Fe、Niの少なくとも1つとを含む合金であり、前記記録層と前記第2の磁性金属層は、互いに交換結合し、前記第2の磁性金属層のダンピング定数は、前記記録層のダンピング定数より小さいことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6)：

H01L 43/08 , H01L 29/82 , H01L 43/10 , H01L 43/12 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (6)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L29/82 Z , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L27/10 447

F-Term (50)：

4M119AA10 , 4M119AA11 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 5F092AA08 , 5F092AA12 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB31 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB53 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC32 , 5F092BC33 , 5F092BC46 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092FA08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

磁気ランダムアクセスメモリ、電子カードおよび電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-178417 Applicant：株式会社東芝
磁性多層膜およびその製造方法ならびに光磁気記録媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-339187 Applicant：藤森啓安, ティーディーケイ株式会社
磁気抵抗素子、それを用いたメモリ素子及びメモリセル並びにメモリ素子の記録再生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-078470 Applicant：キヤノン株式会社

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