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J-GLOBAL ID：200903018143462430

磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気メモリ

Inventor： 林 秀和 ,  道嶋 正司 ,  南方 量二
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000037527
Publication number (International publication number)：2001291911
Application date： Feb. 16, 2000
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来の垂直磁化を用いた磁気抵抗効果素子では、記録電流磁界で記録層の磁化反転を行うことが困難である。【解決手段】 記録層となる磁性層を、少なくとも軽希土類を含有する希土類-遷移金属からなる非晶質合金膜で構成する。

Claim (excerpt)：

少なくとも第1の磁性層、非磁性層、第2の磁性層から構成され、前記第1および第2の磁性層が垂直磁気異方性を有する磁気抵抗効果素子において、前記第1の磁性層は低保磁力を有し、かつ高磁気異方性エネルギーを有する強磁性体で構成されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15

F-Term (4)：

5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁性メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-302425   Applicant：日本ビクター株式会社
• 磁気抵抗効果素子薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-026379   Applicant：日本電気株式会社