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J-GLOBAL ID：201003005717362606

複数の窒化物ナノワイヤとその製造方法

Inventor：
セイフェルト, ウェルナー

About セイフェルト, ウェルナー

, 
アソリ, ダミール

About アソリ, ダミール

, 
ビ, ツァオシア

About ビ, ツァオシア


Applicant, Patent owner：
クナノ アーベー

About クナノ アーベー


Agent (5)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  下山 治
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009545523
Publication number (International publication number)：2010515651
Application date： Jan. 14, 2008
Publication date： May. 13, 2010
Summary：
本発明は、ダイオード、LEDおよびトランジスタなどの多くの半導体デバイスに応用可能な窒化物半導体の成長に関する。本発明の方法によると、窒化物半導体のナノワイヤは、選択領域を成長させる技術をベースとする化学蒸着法(CVD)を利用して成長する。ナノワイヤの成長工程中、窒素源と有機金属源とが存在し、少なくとも窒素源の流量はナノワイヤ成長工程中、連続して存在している。本発明の方法で利用されるV/III比は、一般的に窒化基半導体の成長に関連するV/III比より実質的に低い。
Claim (excerpt)：
選択領域を成長させる技術をベースとする化学蒸着法(CVD)を利用して複数の窒化基半導体のナノワイヤを成長させる方法であって、 ナノワイヤ成長工程中、窒素源と有機金属源とが存在し、 前記ナノワイヤ成長工程中、前記窒素源が連続して流れていることを特徴とする方法。
IPC (9)：
C30B 29/62 ,  C30B 25/16 ,  C30B 25/04 ,  C01B 21/06 ,  H01L 33/06 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/205 ,  B82B 3/00 ,  B82B 1/00
FI (9)：
C30B29/62 Q ,  C30B25/16 ,  C30B25/04 ,  C01B21/06 A ,  H01L33/00 112 ,  H01L33/00 186 ,  H01L21/205 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00
F-Term (33)：
4G077AA04 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EA06 ,  4G077EC09 ,  4G077EE01 ,  4G077EE07 ,  4G077HA02 ,  4G077TA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TJ05 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA61 ,  5F045HA06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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