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J-GLOBAL ID：200903058857446252

化合物半導体素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法

Inventor：
ロバート・アーミテイジ

About ロバート・アーミテイジ


Applicant, Patent owner：
松下電工株式会社

About 松下電工株式会社


Agent (3)： 小谷 悦司 ,  伊藤 孝夫 ,  樋口 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006203835
Publication number (International publication number)：2008034483
Application date： Jul. 26, 2006
Publication date： Feb. 14, 2008
Summary：
【課題】基板上にナノコラムやナノロッドなどと称される柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体発光素子において、柱状結晶構造体の柱径を高精度に制御可能とする。【解決手段】発光ダイオードを形成するナノコラム6において、その作成後、フォトルミネッセンス法などで実際の発光波長を測定し、所望とする波長からずれていれば、該ナノコラム6を熱酸化し、表面に径調整層10を形成する。したがって、径調整層10の部分は発光動作に寄与せず、実質的にナノコラム6の外径が細くなった場合と同様の動作を行うことになり、従来では全く不可能であった形成後の外径の微調整を、容易かつ高精度に行うことができ、発光波長を調整することができる。また、径調整層10はナノコラム6の表面を保護するので、SOGの埋め込みによる表面保護の場合に問題になる埋め込みの均一性は一切問題にならず、制御性、再現性に優れた表面保護を実現することもできる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上にナノスケールの柱状結晶構造体を有する化合物半導体素子において、 前記柱状結晶構造体の表面に、該表面が酸化されて成る径調整層を有することを特徴とする化合物半導体素子。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (1)：
H01L33/00 C
F-Term (13)：
5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA08 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F058BF52 ,  5F058BF70 ,  5F058BJ04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (5)
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