Pat
J-GLOBAL ID:201003006693231544
薄膜半導体装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
船橋 國則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008296510
Publication number (International publication number):2010123778
Application date: Nov. 20, 2008
Publication date: Jun. 03, 2010
Summary:
【課題】形状精度の良好な半導体層を形成することが可能であり、これによって特性の良好な薄膜半導体装置を得ることが可能な薄膜半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】有機半導体溶液L1とポリマー溶液L2とを基板1上に個別に供給することにより、有機半導体溶液L1とポリマー溶液L2との混合液層5aを形成する。混合液層5aを乾燥させて半導体層5を形成する。有機半導体溶液L1およびポリマー溶液L2は、インクジェット法のような印刷法によって基板1上に供給する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
有機半導体溶液とポリマー溶液とを基板上に個別に供給することにより、当該有機半導体溶液と当該ポリマー溶液との混合液層を形成する工程と、
前記混合液層を乾燥させて半導体層を形成する工程とを行なう
薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (6):
H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 51/05
, H01L 51/40
, H01L 21/368
, H01L 51/50
FI (7):
H01L29/78 618A
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 627C
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 310J
, H01L21/368 L
, H05B33/14 A
F-Term (65):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC21
, 3K107CC45
, 3K107EE04
, 3K107GG06
, 3K107GG07
, 3K107GG08
, 5F053AA03
, 5F053AA06
, 5F053BB09
, 5F053DD19
, 5F053FF01
, 5F053HH10
, 5F053LL02
, 5F053LL04
, 5F053LL10
, 5F053PP03
, 5F053RR11
, 5F053RR12
, 5F053RR20
, 5F110AA16
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD04
, 5F110DD05
, 5F110DD11
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE14
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HK34
, 5F110NN03
, 5F110NN05
, 5F110NN71
, 5F110NN73
, 5F110QQ06
, 5F110QQ14
Patent cited by the Patent:
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