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J-GLOBAL ID：201003008756619923

半導体配線

Inventor： 大西 隆 ,  水野 雅夫 ,  伊藤 弘高 ,  小濱 和之 ,  伊藤 和博 ,  着本 享 ,  村上 正紀
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (4)： 植木 久一 ,  菅河 忠志 ,  二口 治 ,  伊藤 浩彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008183014
Publication number (International publication number)：2010021490
Application date： Jul. 14, 2008
Publication date： Jan. 28, 2010
Summary：

【課題】絶縁膜とCu配線の界面に、TiO2層とは異なるバリア層をCu配線の電気抵抗率を高めることなく形成した半導体配線を提供する。【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部に、Tiを含有するCu配線が埋め込まれた半導体配線であり、前記絶縁膜と前記Cu配線の間に、TiC層を形成すればよい。前記絶縁膜は、SiCOまたはSiCNとすればよい。前記TiC層の厚みは、3〜30nmとすればよい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部に、Tiを含有するCu配線が埋め込まれた半導体配線であり、前記絶縁膜と前記Cu配線の間に、TiC層が形成されていることを特徴とする半導体配線。

IPC (2)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (1)：

H01L21/88 M

F-Term (18)：

5F033HH11 ,  5F033HH36 ,  5F033LL02 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP20 ,  5F033PP21 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ80 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR01 ,  5F033SS11 ,  5F033WW02 ,  5F033XX10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体配線の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-077443   Applicant：株式会社神戸製鋼所, 国立大学法人京都大学
• 半導体配線の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-192153   Applicant：株式会社神戸製鋼所, 国立大学法人京都大学

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-222194   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-165361   Applicant：松下電器産業株式会社