半導体配線の製造方法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：植木久一 , 菅河忠志 , 二口治 , 伊藤浩彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006192153
Publication number (International publication number)：2008021807
Application date： Jul. 12, 2006
Publication date： Jan. 31, 2008
Summary：

【課題】絶縁膜に設けられた凹部の最小幅が狭く、深い場合でも、バリア層としてTi濃化層を形成することができ、しかも純Cuを配線材料として凹部の隅々に亘って埋め込むことができる半導体配線の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に最小幅が0.15μm以下、該最小幅に対する深さの比(深さ/最小幅)が1以上の凹部を形成し、この絶縁膜の凹部に、Tiを0.5〜10原子%含有するCu合金薄膜を凹部形状に沿って10〜50nmの厚さで形成した後、Cu合金薄膜付き凹部に純Cu薄膜を形成し、350°C以上に加熱して絶縁膜とCu合金薄膜との間にTiを析出させればよい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上の絶縁膜に最小幅が0.15μm以下、該最小幅に対する深さの比(深さ/最小幅)が1以上の凹部を形成し、この絶縁膜の凹部に、Tiを0.5〜10原子%含有するCu合金薄膜を凹部形状に沿って10〜50nmの厚さで形成した後、Cu合金薄膜付き凹部に純Cu薄膜を形成し、350°C以上に加熱して絶縁膜とCu合金薄膜との間にTiを析出させることを特徴とする半導体配線の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/28

FI (3)：

H01L21/88 B , H01L21/88 R , H01L21/28 301R

F-Term (40)：

4M104AA01 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD06 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD19 , 4M104DD36 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD78 , 4M104FF13 , 4M104FF16 , 4M104HH14 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033KK01 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN01 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ86 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033RR13 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033SS04 , 5F033XX04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

配線膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-183875 Applicant：株式会社神戸製鋼所

Cited by examiner (3)

メタライゼーション構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-164090 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
配線膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-231595 Applicant：株式会社神戸製鋼所
半導体集積回路装置の製造方法およびその製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-179191 Applicant：株式会社日立製作所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

"Formation of Ti Diffusion Barrier Layers in Thin Cu(Ti) Alloy Films"

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