Pat
J-GLOBAL ID：201003010635060214
エネルギー囲み障壁に埋設された量子ドットを有する中間バンド感光性デバイス
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
八田国際特許業務法人
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009536283
Publication number (International publication number)：2010509772
Application date： Nov. 06, 2007
Publication date： Mar. 25, 2010
Summary：
第一電極と第二電極との間に積層されて堆積された複数の囲みドット障壁および複数の第一半導体材料の層。各囲みドット障壁は実質的に第三半導体材料の二層の間に直接接触して埋設された複数の第二半導体材料の量子ドットからなる。量子ドットの波動関数は、少なくとも一の中間バンドとして重なる。第三半導体材料の層はトンネル障壁として配置され、第一材料中の第一電子および/または第一正孔が各量子ドット中の第二材料に到達する量子力学的トンネル透過を行うために、かつ、第一半導体材料の層中の第二電子および/または第二正孔が第一半導体材料の他の層に到達する量子力学的トンネル透過を行うために、要求される。
Claim (excerpt)：
第一電極及び第二電極;
第一電極と第二電極との間に積層され堆積された複数の第一半導体材料の層;および、
複数の囲みドット障壁(dots-in-a-fence barrier)、各囲みドット障壁は実質的に第三半導体材料の二層の間に直接接触して埋設された複数の第二半導体材料の量子ドットからなり、ここで、各囲みドット障壁は第一半導体材料の層の各二層間に直接接触して積層して堆積される、を含み、
ここで、各量子ドットは、隣接する第一半導体材料の層の伝導バンド端と価電子バンド端との間のエネルギーの少なくとも一の量子状態を供給し、複数の量子ドットの前記少なくとも一の量子状態の波動関数は、少なくとも一の中間バンドとして重なり、
第三半導体材料の層は、第一材料の層中の第一電子および/または第一正孔が各量子ドット中の第二材料に到達する量子力学的トンネル透過を行うために、かつ、第一半導体材料の層中の第二電子および/または第二正孔が第一半導体材料の他の層に到達する量子力学的トンネル透過を行うために、要求されるトンネル障壁として配置される、デバイス。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (8)：
5F051AA08
, 5F051CB08
, 5F051DA13
, 5F051DA20
, 5F151AA08
, 5F151CB08
, 5F151DA13
, 5F151DA20
Cited by applicant (3)
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量子半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-146177
Applicant：富士通株式会社
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太陽電池
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2004-302705
Applicant：富士通株式会社, 国立大学法人東京大学
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特許第6239449号
Cited by examiner (2)
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量子半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-146177
Applicant：富士通株式会社
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太陽電池
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2004-302705
Applicant：富士通株式会社, 国立大学法人東京大学
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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