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J-GLOBAL ID：200903078210396785

量子半導体装置およびその作製方法

Inventor：
中田 義昭

About 中田 義昭


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003146177
Publication number (International publication number)：2004349542
Application date： May. 23, 2003
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：
【課題】量子井戸型の濡れ層に起因する劣性要因を排除して、発光効率および波長多重を改善し、暗電流を防止する。【解決手段】量子半導体装置は、(a)下地半導体層上に位置し、この下地半導体層に対して量子井戸を構成せず、かつ下地半導体層に対してS-Kモードでの成長が可能な材料で構成される薄膜結晶層と、(b)薄膜結晶層の直上に位置し、下地半導体層に対してタイプI型のエネルギバンド不連続を構成する量子ドットとを備える量子半導体構造を有する。薄膜結晶層は、下地半導体層に対してタイプII型のエネルギバンド不連続となる材料、または、下地半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料で構成される。【選択図】 図5
Claim (excerpt)：
下地半導体層上に位置し、この下地半導体層に対して量子井戸を構成せず、かつ下地半導体層に対してS-Kモードでの成長が可能な材料で構成される薄膜結晶層と、 前記薄膜結晶層の直上に位置し、前記下地半導体層に対してタイプI型のエネルギバンド不連続を構成する量子ドットと を備える量子半導体構造を有する量子半導体装置。
IPC (3)：
H01L29/06 ,  H01L31/10 ,  H01S5/343
FI (3)：
H01L29/06 601D ,  H01S5/343 ,  H01L31/10 A
F-Term (15)：
5F049MA20 ,  5F049MB07 ,  5F049NA05 ,  5F049PA01 ,  5F049PA18 ,  5F049QA20 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01 ,  5F073AA74 ,  5F073AA75 ,  5F073BA01 ,  5F073BA08 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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