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J-GLOBAL ID：201003014952488101

金属-半導体-金属型受光素子

Inventor： 高梨 良文 ,  田口 博久
Applicant, Patent owner： 学校法人東京理科大学
Agent (1)： 正林 真之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008189316
Publication number (International publication number)：2010027938
Application date： Jul. 23, 2008
Publication date： Feb. 04, 2010
Summary：

【課題】信号光の照射を止めた後も光吸収層に残り高速化を阻害する正孔を瞬時に消滅させることができる光吸収層を備えた超高速応答が可能なMSM型受光素子を提供する。【解決手段】光を吸収し電子-正孔対を生成する光吸収層と、少なくとも一つのショットキー接触型電極と、を有する金属-半導体-金属(Metal-Semiconductor-Metal:MSM)型受光素子であって、光吸収層がInAs層又はInSb層を含む。InAs層又はInSb層の好ましい厚みは3nmから10nmである。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

光を吸収し電子-正孔対を生成する光吸収層と、少なくとも一つのショットキー接触型電極と、を有する金属-半導体-金属(Metal-Semiconductor-Metal:MSM)型受光素子であって、 前記光吸収層がInAs層又はInSb層を含むことを特徴とするMSM型受光素子。

IPC (1)：

H01L 31/108

FI (1)：

H01L31/10 C

F-Term (7)：

5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA03 ,  5F049NB01 ,  5F049SE11 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体-金属-半導体(metal-semiconductor-metal:MSM)型受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-341028   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-213326   Applicant：日本電気株式会社