Pat
J-GLOBAL ID：200903003361972931
半導体受光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007213326
Publication number (International publication number)：2007318180
Application date： Aug. 20, 2007
Publication date： Dec. 06, 2007
Summary：
【課題】 装荷型半導体受光素子、導波路型半導体受光素子において、高光入力時にも劣化、破壊しにくい構造の素子を提供すること。【解決手段】 半導体基板1上に、この半導体基板よりも屈折率が大きいガイド層3が形成され、このガイド層上の一部領域に光吸収層4が形成された装荷型半導体受光素子において、前記光吸収層が形成された領域である光電変換部のメサ幅が、素子動作時の光電流密度が高い部分ほど広く、低い部分ほど狭く設計する。【効果】 光電変換部において局所的な温度上昇を抑えることができるため高光入力時にも劣化、破壊しにくく、かつ、素子容量増大も防ぐため高速応答特性も保たれる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
光吸収層を有し、前記光吸収層の光入射側の端部に前端部を、その光導波方向の終端に後端部を有する光電変換部を備えた半導体受光素子において、
前記後端部のメサ幅は、前記前端部のメサ幅よりも狭いことを特徴とする半導体受光素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (4)：
5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049QA02
, 5F049QA16
Cited by examiner (5)
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