Pat
J-GLOBAL ID:201003015809349385
面発光レーザ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長尾 達也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008280987
Publication number (International publication number):2010109223
Application date: Oct. 31, 2008
Publication date: May. 13, 2010
Summary:
【課題】2次元フォトニック結晶による帰還効果を向上させ、その結晶層に分布する光の割合を増加させ、素子を形成する半導体が良好な結晶性を維持し、素子面積を小さくできるDFB型の面発光レーザを提供する。【解決手段】バリア層と井戸層とで形成される活性層を含む複数の半導体層からなる積層中に、屈折率の異なる媒質が面内方向に周期的に配列された2次元フォトニック結晶層を備え、該結晶層の面内方向に共振モードを有する面発光レーザであって、 第1クラッド層と、2次元フォトニック結晶層と、活性層と、第2クラッド層とが順次積層されており、 バリア層、第1クラッド層、第2クラッド層のいずれの屈折率よりも高い屈折率を有し、 かつ、井戸層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する光誘引層が、2次元フォトニック結晶層と活性層との間、または、2次元フォトニック結晶層と第1クラッド層との間に設けられる構成とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
バリア層と井戸層とで形成される活性層を含む複数の半導体層からなる積層中に、屈折率の異なる媒質が面内方向に周期的に配列された2次元フォトニック結晶層を備え、該2次元フォトニック結晶層の面内方向に共振モードを有する面発光レーザであって、
第1クラッド層と、前記2次元フォトニック結晶層と、前記活性層と、第2クラッド層とが順次積層されており、
前記バリア層、前記第1クラッド層、前記第2クラッド層のいずれの屈折率よりも高い屈折率を有し、
かつ、前記井戸層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する光誘引層が、前記2次元フォトニック結晶層と前記活性層との間、または、前記2次元フォトニック結晶層と該第1クラッド層との間に設けられていることを特徴とする面発光レーザ。
IPC (3):
H01S 5/18
, H01S 5/343
, G02B 6/122
FI (3):
H01S5/18
, H01S5/343
, G02B6/12 A
F-Term (29):
2H147AB04
, 2H147AB09
, 2H147AC02
, 2H147BF03
, 2H147BF10
, 2H147EA10D
, 2H147EA12A
, 2H147EA12B
, 2H147EA12C
, 2H147FA04
, 2H147FB02
, 2H147FC03
, 2H147GA10
, 2H147GA15
, 2H147GA16
, 2H147GA19
, 5F173AB13
, 5F173AB53
, 5F173AB90
, 5F173AC10
, 5F173AC20
, 5F173AC70
, 5F173AD02
, 5F173AG20
, 5F173AH08
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AR81
, 5F173AR99
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
半導体レーザ素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-355337
Applicant:住友電気工業株式会社
Return to Previous Page