半導体レーザ素子

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004355337
Publication number (International publication number)：2006165309
Application date： Dec. 08, 2004
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：

【課題】青色や紫外光などの短波長の光を発振することのできる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子1は、主面3aを有する基板3と、主面3aが延びる方向に沿って基板3上に形成されたフォトニック結晶層7と、基板3上に形成されたn型クラッド層4と、基板3上に形成されたp型クラッド層6と、n型クラッド層4およびp型クラッド層6に挟まれ、キャリアが注入されると発光する活性層5とを備えている。フォトニック結晶層7は、GaNよりなるエピタキシャル層2aと、エピタキシャル層2aよりも低屈折率である複数の孔2bとを含んでいる。活性層5から出た光のうち素子の内部に存在する光の3%以上をフォトニック結晶層7に導入できる程度に、フォトニック結晶層7と活性層5との距離d1が規定されている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

主面を有する基板と、窒化ガリウムよりなるエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層よりも低屈折率である低屈折率部分とを含み、前記主面が延びる方向に沿って前記基板上に形成された2次元回折格子と、前記基板上に形成された第1導電型の第1クラッド層と、前記基板上に形成された第2導電型の第2クラッド層と、前記第1および前記第2導電型クラッド層に挟まれ、キャリアが注入されると発光する活性層とを備え、前記活性層から出た光のうち素子の内部に存在する光の3%以上を前記2次元回折格子に導入できる程度に、前記2次元回折格子と前記活性層との距離が規定されている、半導体レーザ素子。

IPC (3)：

H01S 5/12 , H01S 5/323 , G02B 6/122

FI (3)：

H01S5/12 , H01S5/323 610 , G02B6/12 A

F-Term (16)：

2H047PA05 , 2H047PA21 , 2H047PA24 , 2H047RA08 , 5F173AA01 , 5F173AB02 , 5F173AB52 , 5F173AB90 , 5F173AG12 , 5F173AH22 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AP42 , 5F173AQ03 , 5F173AR02 , 5F173AR23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体発光デバイスおよび半導体発光デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-141793 Applicant：野田進, 科学技術振興事業団, 住友電気工業株式会社

Cited by examiner (6)

フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-108271 Applicant：キヤノン株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-338782 Applicant：ソニー株式会社
窒化物半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-120130 Applicant：シャープ株式会社, 住友電気工業株式会社

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