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J-GLOBAL ID:201003017968401820

シリカ被覆金ナノロッド及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 舘野 千惠子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008218108
Publication number (International publication number):2010053385
Application date: Aug. 27, 2008
Publication date: Mar. 11, 2010
Summary:
【課題】簡便かつ高収率で生産性が高く、不純物としてのシリカ粒塊が少ない非水系溶媒分散型シリカ被覆金ナノロッドを提供する。【解決手段】CTAB(Cetyltrimethyl ammonium bromide)が吸着された金ナノロッド表面を、ポリアクリル酸を主成分とする高分子で被覆し、次いでシリカで被覆し、さらにその表面を少なくとも1つ以上の長鎖アルキル基を有する加水分解性ケイ素化合物で表面修飾したシリカ被覆金ナノロッド。【選択図】図3
Claim (excerpt):
CTAB(Cetyltrimethyl ammonium bromide)が吸着された金ナノロッド表面を、分子量が25000以上のポリアクリル酸を主成分とする高分子で被覆し、次いでシリカで被覆し、さらにその表面を少なくとも1つ以上の長鎖アルキル基を有する加水分解性ケイ素化合物で表面修飾したことを特徴とするシリカ被覆金ナノロッド。
IPC (8):
B22F 1/02 ,  B22F 1/00 ,  C09C 3/10 ,  C09C 3/06 ,  C09C 3/08 ,  B22F 9/24 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00
FI (10):
B22F1/02 D ,  B22F1/00 K ,  C09C3/10 ,  C09C3/06 ,  C09C3/08 ,  B22F9/24 E ,  B22F9/24 F ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B22F1/02 B
F-Term (18):
4J037AA04 ,  4J037CA24 ,  4J037CB23 ,  4J037CC16 ,  4J037DD04 ,  4J037EE04 ,  4J037EE13 ,  4J037EE28 ,  4J037EE33 ,  4J037EE48 ,  4K017AA02 ,  4K017BA02 ,  4K017EK08 ,  4K018AA02 ,  4K018BA01 ,  4K018BB10 ,  4K018BC28 ,  4K018BC30
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
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