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J-GLOBAL ID：201003018288078010

電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
岩崎 達哉

About 岩崎 達哉

, 
板垣 奈穂

About 板垣 奈穂


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (2)： 桂田 健志 ,  白洲 一新
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008261878
Publication number (International publication number)：2010093070
Application date： Oct. 08, 2008
Publication date： Apr. 22, 2010
Summary：
【課題】アモルファス酸化物を用いた薄膜トランジスタが、近紫外光がチャンネルに入射することで、TFTのトランジスタ特性(Id-Vg特性)が変動する場合に、TFT特性のばらつきを防止する、迷光の照射に伴う特性変動が小さい、酸化物からなる半導体膜をチャンネルに適用した電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体からなるチャンネル層11とオキシナイトライドからなるソース電極13及びドレイン電極14を有している。これにより、ソース電極13、ドレイン電極14から近紫外光がチャンネル層11に入りこむことがないため、光に対して比較的安定なTFTを実現できる。さらに、チャンネル層11とソース電極13、ドレイン電極14との間で、安定な電気接続が可能となり、素子の均一性、信頼性が向上する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャンネルと、前記チャンネルに電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極とを有する電界効果型トランジスタであって、 前記チャンネルは酸化物半導体からなり、 前記ソース電極またはドレイン電極はオキシナイトライドからなることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (5)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M
F-Term (54)：
4M104AA06 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD40 ,  4M104DD42 ,  4M104DD55 ,  4M104DD68 ,  4M104DD73 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK01 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 国際公開第2005/088726号パンフレット
Cited by examiner (3)

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