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J-GLOBAL ID:201003020010596375
テラヘルツ領域における粉体測定方法およびそれに用いられるサンプル容器、ならびにサンプル装填装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (7):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
, 佐々木 眞人
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009159811
Publication number (International publication number):2010044056
Application date: Jul. 06, 2009
Publication date: Feb. 25, 2010
Summary:
【課題】粉体試料の物性をより正確に測定可能なテラヘルツ領域における粉体測定方法およびそれに用いられる容器を提供する。【解決手段】筒状部材4は、金属(代表的に、ステンレス(SUS304)やアルミニウムなど)といった導電性の高い物質で構成され、中央部に貫通したアパーチャーを有する。底膜6は、絶縁性が高く、テラヘルツ帯での吸収が小さい素材(代表的に、フッ素樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレンなど)からなる。測定対象の粉体状あるいはバルク状のサンプルSMPは、筒状部材4の鉛直上方からアパーチャーに装填される。そして、装填されたサンプルSMPは、筒状部材4の内径とほぼ同サイズの外径のロッド302によって加圧される。このロッド302の先端部は平坦であることが好ましい。【選択図】図6
Claim (excerpt):
粉体状のサンプルを測定可能な粉体測定方法であって、
サンプル容器を準備するステップを含み、前記サンプル容器は、貫通したアパーチャーを有する筒状部材と前記筒状部材の底面に接着された底膜とを含み、さらに
前記サンプル容器の前記アパーチャー内にサンプルを装填するステップと、
前記サンプルが装填された前記サンプル容器に対して、前記アパーチャーの貫通方向に沿ってテラヘルツ光を照射するステップと、
前記サンプル容器を透過した後のテラヘルツ光を受光するステップと、
前記受光されたテラヘルツ光に基づいて、前記サンプルの物性値を算出するステップとを含む、粉体測定方法。
IPC (2):
FI (2):
G01N21/35 Z
, G01N21/01 B
F-Term (21):
2G059AA02
, 2G059BB09
, 2G059DD12
, 2G059EE01
, 2G059EE12
, 2G059FF11
, 2G059GG01
, 2G059GG08
, 2G059HH01
, 2G059HH06
, 2G059JJ03
, 2G059JJ13
, 2G059JJ14
, 2G059JJ18
, 2G059JJ20
, 2G059JJ22
, 2G059KK09
, 2G059LL01
, 2G059MM01
, 2G059MM10
, 2G059PP04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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パラジウム触媒中のパラジウムの定量方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-246732
Applicant:富士電機株式会社
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テラヘルツ電磁波による粉体物性測定装置および方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-223884
Applicant:独立行政法人通信総合研究所
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分析方法及び分析装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-349234
Applicant:独立行政法人理化学研究所, キヤノン株式会社
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