Pat
J-GLOBAL ID:201003024141867221
ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009185958
Publication number (International publication number):2010134417
Application date: Aug. 10, 2009
Publication date: Jun. 17, 2010
Summary:
【課題】ポジ型レジスト組成物の成分として有用な新規な高分子化合物、そのモノマー、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法の提供。【解決手段】下記一般式(a0-1)で表される構成単位、および酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する高分子化合物(A1)を含有する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
Claim (excerpt):
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)、および酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
, C08F 220/26
FI (4):
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, H01L21/30 502R
, C08F220/26
F-Term (55):
2H125AF17P
, 2H125AF18P
, 2H125AF38P
, 2H125AF70P
, 2H125AH13
, 2H125AH16
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AH23
, 2H125AH29
, 2H125AJ12X
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ64X
, 2H125AJ69X
, 2H125AL03
, 2H125AL11
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN54P
, 2H125AN63P
, 2H125AN64P
, 2H125BA02P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 2H125FA03
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100BA03R
, 4J100BA03S
, 4J100BA03T
, 4J100BA11P
, 4J100BA11Q
, 4J100BA15P
, 4J100BA15Q
, 4J100BA15T
, 4J100BC03Q
, 4J100BC03S
, 4J100BC08Q
, 4J100BC08R
, 4J100BC08S
, 4J100BC08T
, 4J100BC53Q
, 4J100BC53R
, 4J100BC83P
, 4J100CA03
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA01
, 4J100DA04
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent:
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