太陽電池の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：大島泰甫 , 稗苗秀三 , 後藤誠司 , 小原順子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008280637
Publication number (International publication number)：2010109201
Application date： Oct. 31, 2008
Publication date： May. 13, 2010
Summary：

【課題】多くの工程と複雑な装置をなくすことによって、安価に光電変換効率が高い選択エミッタ構造の太陽電池を製造できるようにする。【解決手段】シリコン基板1の受光面に、電極を形成する部位に応じて、インクジェット法あるいはオフセット印刷によりドーパント濃度の高い拡散剤を塗布し、高濃度膜3を形成する。シリコン基板1の受光面全体にスピンコートによって、先に塗布した拡散剤よりもドーパント濃度の低い拡散剤を塗布して、低濃度膜4を高濃度膜3に重ねて形成する。熱処理を行って、ドーパントを拡散させ、高濃度エミッタ層5および低濃度エミッタ層6を形成するとともに、拡散剤に含まれる金属化合物により、高濃度エミッタ層5の上に低屈折率の反射防止膜7を形成し、低濃度エミッタ層6の上に高屈折率の反射防止膜8を形成する。高濃度エミッタ層5の上に、受光面電極9を形成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

pn接合を有する太陽電池の製造方法において、半導体基板の一面に、拡散剤を部分的に塗布した後、前記半導体基板の一面全体に、部分的に塗布した前記拡散剤よりドーパント濃度の低い拡散剤を塗布し、熱処理を行って、ドーパント濃度の異なるエミッタ層を形成し、拡散剤を部分的に塗布した領域上に電極を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 H

F-Term (24)：

5F051AA02 , 5F051BA14 , 5F051CB18 , 5F051CB20 , 5F051CB30 , 5F051DA03 , 5F051DA20 , 5F051FA06 , 5F051FA10 , 5F051GA04 , 5F051HA06 , 5F051HA20 , 5F151AA02 , 5F151BA14 , 5F151CB18 , 5F151CB20 , 5F151CB30 , 5F151DA03 , 5F151DA20 , 5F151FA06 , 5F151FA10 , 5F151GA04 , 5F151HA06 , 5F151HA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

太陽電池セルおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-359676 Applicant：シャープ株式会社
太陽電池の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-003836 Applicant：株式会社日立製作所

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