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J-GLOBAL ID：201003025222642859

トランジスタ素子の製造方法

Inventor：
市村 公二

About 市村 公二


Applicant, Patent owner：
大日本印刷株式会社

About 大日本印刷株式会社


Agent (1)： 志村 浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009045017
Publication number (International publication number)：2010199457
Application date： Feb. 27, 2009
Publication date： Sep. 09, 2010
Summary：
【課題】 ソース・ドレイン電極に対して、ゲート電極を正確に位置合わせし、寄生容量の発生を抑制する。【解決手段】 透明ガラス基板110上に金属からなるソース電極120,ドレイン電極130を形成し、その上に、InGaZnO4からなる透明な酸化物半導体チャネル層140を形成し、その上面に透明な絶縁層150を形成する(図8(a) )。その上に、ITOからなる導電層185を形成し、その上面をネガ型レジスト層191で覆う(図8(b) )。基板下面にゲート形成用マスクM3を配置して下方から光を照射し、マスクM3の遮光領域によって生じる影とソース電極120およびドレイン電極130によって生じる影とが、レジスト層191の非露光領域となるような背面露光を行い、パターニングしてゲート電極層を形成する。【選択図】図8
Claim (excerpt)：
半導体チャネル層を介してソース・ドレイン間を流れる電流をゲート電極への印加電圧により制御するトランジスタ素子を、所定の感光波長域の光に対して感光性を有するレジストを利用したゲート電極形成用パターニング処理を含む工程により製造する方法であって、 少なくとも上面が絶縁性を有し、前記感光波長域の光に関して透明な材料からなる基板を用意する第1の段階と、 前記基板上に、前記感光波長域の光に関して不透明な導電性材料からなり、相互間に空隙部を介して配置されたソース電極層およびドレイン電極層を形成する第2の段階と、 前記空隙部に隣接した前記ソース電極層の一部分および前記空隙部に隣接した前記ドレイン電極層の一部分に跨るように、前記感光波長域の光に関して透明な半導体材料からなる半導体チャネル層を形成する第3の段階と、 前記半導体チャネル層の上面に、前記感光波長域の光に関して透明な絶縁性材料からなるゲート絶縁層を形成する第4の段階と、 前記ゲート絶縁層の上面に、前記感光波長域の光に関して透明な導電性材料からなる導電層を形成する第5の段階と、 前記導電層の上面に、前記感光波長域の光に対して感光性を有するネガ型レジスト層を形成し、上方から観察したときに前記ソース電極層および前記ドレイン電極層に部分的に重複する透光領域を有するゲート電極形成用のフォトマスクを、前記基板の下方に配置し、基板下方側から前記感光波長域の光を照射し、前記フォトマスクの遮光領域によって生じる影と前記ソース電極層および前記ドレイン電極層によって生じる影とが、前記ネガ型レジスト層上の非露光領域となるような背面露光を行い、前記導電層の前記非露光領域に対応する部分を除去するパターニングを行い、前記導電層の残存部分によって前記ゲート絶縁層の上面に位置するゲート電極層を形成する第6の段階と、 を有することを特徴とするトランジスタ素子の製造方法。
IPC (5)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28
FI (7)：
H01L29/78 617J ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 D ,  H01L21/28 301B
F-Term (35)：
4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD62 ,  4M104DD63 ,  4M104DD71 ,  4M104FF11 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F110AA02 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE07 ,  5F110EE24 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG43 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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