マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：東口倫昭 , 進藤素子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008249272
Publication number (International publication number)：2010080350
Application date： Sep. 26, 2008
Publication date： Apr. 08, 2010
Summary：

【課題】設備構造が簡単で、処理コストが安いマイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法を提供することを課題とする。【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置1は、導波通路20a、21aを有する導波管2と、導波通路20aにプラズマ生成用ガスを供給するガス供給管3と、導波通路21aに表出する上流側面40と、上流側面40に背向する下流側面41と、長孔状のスリット42と、を有するスロットアンテナ4と、を備えてなる。略大気圧条件下において、マイクロ波とプラズマ生成用ガスとをスリット42に通過させることによりマイクロ波の電界を集中させスリット42付近に高電界を形成し、プラズマ生成用ガスを電離させプラズマPを生成し、プラズマPにより処理対象物80の処理対象面800に所定の処理を施す。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

マイクロ波が伝播する導波通路を有する導波管と、該導波通路に、空気、窒素、酸素からなる群から選ばれる少なくとも一種類のガスであるプラズマ生成用ガスを、供給するガス供給管と、該導波通路に表出する上流側面と、該上流側面に背向する下流側面と、該上流側面に開口する上流側開口と該上流側開口に連通し該下流側面に開口する下流側開口とを有する長孔状のスリットと、を有するスロットアンテナと、を備えてなり、略大気圧条件下において、該マイクロ波と該プラズマ生成用ガスとを該スリットに通過させることにより該マイクロ波の電界を集中させ該スリット付近に高電界を形成し、該高電界により該プラズマ生成用ガスを電離させプラズマを生成し、該プラズマにより処理対象物の処理対象面に所定の処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (1)：

H05H 1/24

FI (1)：

H05H1/24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特公平8-5167号公報
積層体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-133844 Applicant：旭硝子株式会社
積層体およびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-028885 Applicant：東海ゴム工業株式会社

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