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J-GLOBAL ID：201003027010506257

フォトニック結晶面発光レーザおよびフォトニック結晶面発光レーザの製造方法

Inventor：
松原 秀樹

About 松原 秀樹

, 
齊藤 裕久

About 齊藤 裕久

, 
吉本 晋

About 吉本 晋

, 
野田 進

About 野田 進


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社

, 
国立大学法人京都大学

About 国立大学法人京都大学


Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008288035
Publication number (International publication number)：2010114384
Application date： Nov. 10, 2008
Publication date： May. 20, 2010
Summary：
【課題】信頼性を向上できるフォトニック結晶面発光レーザおよびフォトニック結晶面発光レーザの製造方法を提供する。【解決手段】フォトニック結晶面発光レーザ10aは、III-V族化合物半導体基板と、n型クラッド層12と、発光層15と、p型クラッド層16と、フォトニック結晶層13とを備えている。III-V族化合物半導体基板は、極性面または半極性面である主面11aと裏面11bとを含み、V族元素としてPまたはAsを含んでいる。n型クラッド層12は、III-V族化合物半導体基板の主面11a上に形成される。発光層15は、p型クラッド層12上に形成される。p型クラッド層16は、発光層15上に形成される。フォトニック結晶層13は、n型クラッド層12とp型クラッド層16との間、n型クラッド層12中、またはp型クラッド層16中のいずれかに形成される。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
極性面または半極性面である主面と前記主面と反対側の裏面とを含み、V族元素としてリンまたは砒素を含むIII-V族化合物半導体基板と、 前記III-V族化合物半導体基板の前記主面上に形成された第1導電型のクラッド層と、 前記第1導電型のクラッド層上に形成され、光を発生する発光層と、 前記発光層上に形成された第2導電型のクラッド層と、 前記第1導電型のクラッド層と前記第2導電型のクラッド層との間、前記第1導電型のクラッド層中、または前記第2導電型のクラッド層中のいずれかに形成されるとともに、フォトニック結晶構造を有するフォトニック結晶層とを備えた、フォトニック結晶面発光レーザ。
IPC (2)：
H01S 5/183 ,  H01S 5/343
FI (2)：
H01S5/183 ,  H01S5/343
F-Term (18)：
5F173AB90 ,  5F173AC03 ,  5F173AC04 ,  5F173AC13 ,  5F173AC14 ,  5F173AC26 ,  5F173AC53 ,  5F173AC70 ,  5F173AH03 ,  5F173AH14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP16 ,  5F173AP19 ,  5F173AP23 ,  5F173AP24 ,  5F173AP33 ,  5F173AQ16 ,  5F173AR82
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 特許第3983933号公報
  • 国際公開第06/062084号パンフレット
Cited by examiner (5)
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