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J-GLOBAL ID：201003027144318350

クライオスタット

Inventor： 井上 佳久 ,  岡本 基土 ,  和田 健彦 ,  中川 達央
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  株式会社ユニソク
Agent (1)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009202844
Publication number (International publication number)：2010085397
Application date： Sep. 02, 2009
Publication date： Apr. 15, 2010
Summary：

【課題】セル表面の結露を有効に防止できるクライオスタットを提供する。【解決手段】入射口及び出射口が形成されたケーシング1と、ケーシング内に設けられたセル収容室と、セルの温度を調節する温度調節手段と、ケーシングの入射口から入射した光をセル収容室へ導く第1の光路管11と、セル収容室を通過した光をケーシングの出射口へ導く第2の光路管12と、第1の光路管及び第2の光路管において、外部に露出する開口にそれぞれ配置された第1及び第2光学窓15,18と、第1の光学窓及び第2の光学窓の周縁に配置され、第1の光路管及び第2の光路管をそれぞれ封止する水蒸気透過率が30000cc・cm2・mm・sec・cm Hg×1010以下のシール材19と、を備えている、クライオスタット。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

入射口及び出射口が形成されたケーシングと、 ケーシング内に設けられたセル収容室と、 セルの温度を調節する温度調節手段と、 ケーシングの入射口から入射した光をセル収容室へ導く第1の光路管と、 セル収容室を通過した光をケーシングの出射口へ導く第2の光路管と、 第1の光路管及び第2の光路管において、外部に露出する開口にそれぞれ配置された第1の光学窓及び第2の光学窓と、 第1の光学窓及び第2の光学窓の周縁に配置され、第1の光路管及び第2の光路管をそれぞれ封止する水蒸気透過率が30000cc・cm2・mm・sec・cm Hg×1010以下のシール材と、 を備えている、クライオスタット。

IPC (2)：

G01N 21/01 ,  G01N 21/19

FI (3)：

G01N21/01 C ,  G01N21/01 B ,  G01N21/19

F-Term (7)：

2G059AA02 ,  2G059DD13 ,  2G059DD18 ,  2G059EE01 ,  2G059EE05 ,  2G059EE07 ,  2G059NN06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• クライオスタット及びその使用方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-311411   Applicant：住友金属工業株式会社
• 温調式試料ホルダ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-174105   Applicant：株式会社島津製作所
• 高温・高圧状態の試料を測定可能とする流通型試料保持装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-260937   Applicant：科学技術振興事業団
• 分析装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-116867   Applicant：横河電機株式会社
• 特開昭63-305221
  

Cited by examiner (5)

• クライオスタット及びその使用方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-311411   Applicant：住友金属工業株式会社
• 温調式試料ホルダ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-174105   Applicant：株式会社島津製作所
• 高温・高圧状態の試料を測定可能とする流通型試料保持装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-260937   Applicant：科学技術振興事業団
• 分析装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-116867   Applicant：横河電機株式会社
• 特開昭63-305221
  

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Inversion of the sign of the solid-state circular dichroism at low temperature

Cited by examiner (1)

• Inversion of the sign of the solid-state circular dichroism at low temperature