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J-GLOBAL ID:201003027924032881

光電デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中野 雅房
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008177909
Publication number (International publication number):2010021189
Application date: Jul. 08, 2008
Publication date: Jan. 28, 2010
Summary:
【課題】金属微粒子による局在表面プラズモン共鳴と量子井戸構造とを組み合わせることにより、エネルギー変換効率が高く、かつ製造プロセスも煩雑化することのない光電デバイスを提供する。【解決手段】基板32の上方に形成された第3の半導体層35の上面には井戸層42と障壁層43を交互に積層した光電変換層36が積層されており、光電変換層36の上面には微粒子40が分散している。微粒子40は誘電体コアの外周面を金属のシェル部によって覆った複合構造となっており、光が入射すると2波長の光で局在表面プラズモン共鳴する。【選択図】図10
Claim (excerpt):
第1の半導体からなる障壁層と、第1の半導体よりもバンドギャップの小さな第2の半導体からなる井戸層とを複数層交互に積層させた多重量子井戸構造の光電変換層を有する光電デバイスにおいて、 少なくとも2つの波長帯域で局在表面プラズモン共鳴する微粒子を有することを特徴とする光電デバイス。
IPC (1):
H01L 31/04
FI (1):
H01L31/04 L
F-Term (7):
5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051CB14 ,  5F051DA02 ,  5F051DA04 ,  5F051DA15 ,  5F051GA04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
  • 直列接続型太陽電池
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-009810   Applicant:株式会社ジャパンエナジー
  • 太陽電池
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-020530   Applicant:株式会社日立製作所
  • 太陽電池およびその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2000-334752   Applicant:シャープ株式会社
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