パワー半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 荒川伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008239098
Publication number (International publication number)：2010004003
Application date： Sep. 18, 2008
Publication date： Jan. 07, 2010
Summary：

【課題】優れたパワーサイクル寿命を有するパワー半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1に、縦型パワーデバイスの複数のセル構造が形成されている。複数のセル構造のうち主表面の中央部CRに位置する一のセル構造は、複数のセル構造のうち主表面の外周部PRに位置する他のセル構造の通電能力よりも低い通電能力を有するように構成されている。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板に形成された縦型パワーデバイスの複数のセル構造とを備え、前記複数のセル構造のうち前記主表面の中央部に位置する一のセル構造は、前記複数のセル構造のうち前記主表面の外周部に位置する他のセル構造の通電能力よりも低い通電能力を有するように構成されている、パワー半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 27/04

FI (8)：

H01L29/78 652S , H01L29/78 655G , H01L29/78 655A , H01L29/78 657D , H01L29/78 652E , H01L29/78 652B , H01L29/78 652M , H01L29/78 653A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-160055 Applicant：富士電機デバイステクノロジー株式会社

Cited by examiner (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-220816 Applicant：富士電機株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-247516 Applicant：株式会社日立製作所
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-293802 Applicant：サンケン電気株式会社

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