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J-GLOBAL ID：201003040365809664

接合装置、接合方法および半導体装置

Inventor：
山内 朗

About 山内 朗


Applicant, Patent owner：
ボンドテック株式会社

About ボンドテック株式会社


Agent (1)： 中島 了
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010008207
Publication number (International publication number)：2010247229
Application date： Jan. 18, 2010
Publication date： Nov. 04, 2010
Summary：
【課題】被接合物への付着物を低減し、良好な接合状態を実現することが可能な接合技術を提供する。【解決手段】両被接合物91,92の接合表面のそれぞれに向けてエネルギー波(例えばビーム照射部11,12による原子ビーム)を照射することにより、両被接合物91,92の接合表面のそれぞれを活性化する。その後、表面活性化処理が施された両被接合物91,92の少なくとも一方を移動する。移動後において対向状態を有する両被接合物91,92の対向空間の側方から当該対向空間に向けてエネルギー波(例えばビーム照射部31によるイオンビーム)を照射することにより、両被接合物91,92の接合表面を活性化するとともに、両被接合物91,92を接近させて当該両被接合物を接合する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1の被接合物と第2の被接合物との両被接合物の接合表面のそれぞれに向けてエネルギー波を照射することにより、前記第1の被接合物の接合表面と前記第2の被接合物の接合表面とのそれぞれを活性化する第1および第2の表面活性化手段と、 前記第1および第2の表面活性化手段による第1の表面活性化処理が施された前記両被接合物の少なくとも一方を移動する第1の移動手段と、 前記第1の移動手段による移動後において、対向状態を有する前記両被接合物の対向空間の側方から当該対向空間に向けてエネルギー波を照射することにより、前記第1の被接合物の接合表面と前記第2の被接合物の接合表面とを活性化する第3の表面活性化手段と、 前記第3の表面活性化手段による第2の表面活性化処理が施された後に前記両被接合物を接近させて前記両被接合物を接合する第2の移動手段と、 を備えることを特徴とする接合装置。
IPC (5)：
B23K 20/24 ,  B23K 20/00 ,  B23K 20/26 ,  C23C 14/46 ,  C23C 14/34
FI (6)：
B23K20/24 ,  B23K20/00 350 ,  B23K20/26 ,  C23C14/46 B ,  C23C14/46 C ,  C23C14/34 N
F-Term (14)：
4E067AA18 ,  4E067AD07 ,  4E067DA05 ,  4E067DB01 ,  4E067DC01 ,  4E067EA05 ,  4E067EC03 ,  4K029BA02 ,  4K029BA09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC37 ,  4K029DE02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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