半導体装置及びその作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009256683
Publication number (International publication number)：2010141304
Application date： Nov. 10, 2009
Publication date： Jun. 24, 2010
Summary：

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、該酸化物半導体層の上に、該酸化物半導体より導電率が高い半導体層又は導電層を形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させることができる。また、酸化物半導体層と薄膜トランジスタの保護絶縁層との間に該酸化物半導体より導電率が高い半導体層又は導電層を形成することによって、酸化物半導体層の組成の変化や膜質の劣化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極層と、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に半導体層とを有し、前記酸化物半導体層の一部は、前記ソース電極層と前記ドレイン電極層の間で、前記ゲート絶縁層と、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の側面部と接し、前記酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、前記半導体層の導電率は、前記酸化物半導体層の導電率より高く、前記酸化物半導体層と前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とは電気的に接続することを特徴とする半導体装置。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (6)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L29/78 618C , H01L29/78 616T , H01L29/78 618E

F-Term (62)：

5F110AA01 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK41 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM03 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-345458 Applicant：凸版印刷株式会社
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-284538 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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