半導体装置、及び半導体装置の作製方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005284538
Publication number (International publication number)：2007096055
Application date： Sep. 29, 2005
Publication date： Apr. 12, 2007
Summary：

【課題】より良好な電気的特性を有する化合物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する半導体装置、及びその作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体層として化合物半導体材料を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に、それぞれ導電性の有機化合物及び無機化合物を含むバッファ層を形成する。バッファ層は有機化合物及び無機化合物を含む層として形成される。化合物半導体材料を用いた半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に介在するバッファ層によって、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との導電性は向上し、電気的に良好な接続を行うことができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸化物半導体層と、導電層と、前記酸化物半導体層と前記導電層との間に設けられた有機化合物及び無機化合物を含む層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 21/288 , G09F 9/30 , H01L 27/32

FI (7)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L21/28 301B , H01L21/288 Z , G09F9/30 338 , G09F9/30 365Z

F-Term (111)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD65 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG20 , 5C094AA21 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094FB14 , 5F110AA03 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK39 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL21 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

トランジスタ及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-326889 Applicant：科学技術振興事業団

Cited by examiner (12)

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Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-529758 Applicant：ユニアックスコーポレイション
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-326889 Applicant：科学技術振興事業団
透明酸化物半導体薄膜トランジスタ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-543769 Applicant：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

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