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J-GLOBAL ID：201003042540064122

半導体材料とその製造方法

Inventor： 小松 正二郎 ,  知京 豊裕 ,  佐藤 裕平 ,  平野 大輔
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008225702
Publication number (International publication number)：2010045319
Application date： Sep. 03, 2008
Publication date： Feb. 25, 2010
Summary：

【課題】本発明は、レーザなどの紫外光源を用いたプロセスによりsp3-結合性BN多形(sp3-結合性nH-BN;n=2以上の自然数)薄膜でかつ半導体特性を持つものを作製することを可能にする新たな手法、得られる材料、及びその電子デバイスへの応用に関するものである。【解決手段】 発明1の半導体材料は、前記薄膜がBNはsp3-結合性nH-BN(nは2以上の自然数)であることを特徴とするものであり、発明2は、発明1の半導体材料の製造方法であって、半導体基板にアモルファスBN薄膜が形成してある前駆体の薄膜方面に紫外光を照射して、前記薄膜をsp3-結合性nH-BN(nは2以上の自然数)に変性することを特徴とする。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

基板とその表面に形成した薄膜とからなる半導体特性を有する半導体材料であって、前記薄膜がsp3-結合性nH-BN(nは2以上の自然数)であることを特徴とする半導体材料

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/268

FI (4)：

H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 E ,  H01L21/268 E

F-Term (17)：

5F045AA08 ,  5F045AB01 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045HA18 ,  5F152BB06 ,  5F152BB09 ,  5F152CC06 ,  5F152CC07 ,  5F152CC08 ,  5F152CE08 ,  5F152CE12 ,  5F152CE14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF03 ,  5F152FF20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• sp3 結合型窒化ホウ素の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-184097   Applicant：科学技術庁無機材質研究所長
• 一般式;BNで示され、六方晶系5H型ないしは6H型多形構造を有し、紫外域で発光するsp3結合型窒化ホウ素とその製造方法、及びこれを利用した機能性材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-192863   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構