Pat

J-GLOBAL ID：201003043638675703

半導体装置

Inventor： 佐々木 康二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： ポレール特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008214779
Publication number (International publication number)：2010050364
Application date： Aug. 25, 2008
Publication date： Mar. 04, 2010
Summary：

【課題】パワー半導体装置における実使用時の熱サイクルによっても半導体チップとリードとを接合するはんだ接合層に疲労亀裂が発生しにくく、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体チップ104と回路層106とそれらを電気的に接続する板状のリード101とを有する半導体装置であって、前記リードは、チップ側接合部101aと回路層側接合部101bと立ち上がり部101cと渡り部101dとからなるリード本体と、少なくとも前記チップ側接合部の周縁に形成された折り返し部101eとを有し、前記リード本体の前記チップ側接合部が導電性の接合層103を介して前記半導体チップに接合され、前記回路層側接合部が導電性の接合層を介して前記回路層に接合されており、前記折り返し部と前記立ち上がり部とが前記チップ側接合部の接合面に対して前記半導体チップと反対方向に折り返されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体チップと回路層とそれらを電気的に接続する板状のリードとを有する半導体装置であって、 前記リードは、チップ側接合部と回路層側接合部と立ち上がり部と渡り部とからなるリード本体と、少なくとも前記チップ側接合部の周縁に形成された折り返し部とを有し、 前記リード本体の前記チップ側接合部が導電性の接合層を介して前記半導体チップに接合され、前記回路層側接合部が導電性の接合層を介して前記回路層に接合されており、 前記折り返し部と前記立ち上がり部とが前記チップ側接合部の接合面に対して前記半導体チップと反対方向に折り返されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 ,  H01L 23/48

FI (2)：

H01L21/60 321E ,  H01L23/48 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 大電力半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-217804   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-017003   Applicant：三菱電機株式会社