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J-GLOBAL ID：201003043820198481

チューナブル素子およびその製造方法

Inventor： 山田 智明 ,  舟窪 浩 ,  加茂 嵩史
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学
Agent (6)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  出野 知 ,  蛯谷 厚志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008219661
Publication number (International publication number)：2010053399
Application date： Aug. 28, 2008
Publication date： Mar. 11, 2010
Summary：

【課題】基板と強誘電体薄膜との格子ミスマッチによる歪みが効率的に緩和されるペロブスカイト構造強誘電体薄膜を提供すること。【解決手段】本発明によるチューナブル素子は、基板上に(111)エピタキシャル成長したペロブスカイト構造強誘電体薄膜を含んでなる。特に、ペロブスカイト構造強誘電体薄膜は、(111)エピタキシャル成長した(BaxSr1-x)TiO3またはPb(ZrxTi1-x)O3{0<x<1}からなる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に(111)エピタキシャル成長したペロブスカイト構造強誘電体薄膜を含んでなるチューナブル素子。

IPC (6)：

C23C 14/08 ,  H01L 21/316 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/10 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/32

FI (6)：

C23C14/08 K ,  H01L21/316 Y ,  H01G4/06 102 ,  H01G4/10 ,  C30B23/08 ,  C30B29/32 C

F-Term (31)：

4G077BC42 ,  4G077DA14 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA05 ,  4G077SB03 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4K029BA50 ,  4K029BB09 ,  4K029BC00 ,  4K029CA06 ,  4K029DB05 ,  4K029DC39 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  5E082BC11 ,  5E082BC14 ,  5E082BC40 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG42 ,  5E082FG54 ,  5E082MM05 ,  5E082PP03 ,  5E082PP06 ,  5E082PP10 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF14