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J-GLOBAL ID：201003045764956206

グラフェン被覆部材とその製造方法。

Inventor： 藤田 大介 ,  鷺坂 恵介 ,  大西 桂子
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008261875
Publication number (International publication number)：2010089996
Application date： Oct. 08, 2008
Publication date： Apr. 22, 2010
Summary：

【課題】 本発明は、新たな構造のグラフェン被覆部材とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 発明1のグラフェン被覆部材は、 所望形状の金属基材表面にグラフェン膜を有するグラフェン被覆部材であって、前記基材は炭素が固溶されており、前記グラフェン膜は、前記基材の表面に析出された固溶炭素からなることを特徴とする。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

所望形状の金属基材表面にグラフェン膜を有するグラフェン被覆部材であって、前記基材は炭素が固溶されており、前記グラフェン膜は、前記基材の表面に析出された固溶炭素からなることを特徴とするグラフェン被覆部材。

IPC (1)：

C01B 31/04

FI (1)：

C01B31/04 101Z

F-Term (20)：

4G146AA02 ,  4G146AA07 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AD23 ,  4G146AD28 ,  4G146AD36 ,  4G146AD40 ,  4G146BA02 ,  4G146BB02 ,  4G146BB05 ,  4G146BB06 ,  4G146BB09 ,  4G146BB10 ,  4G146BB22 ,  4G146BC02 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC38B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 単結晶グラフェンシートおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-318418   Applicant：三星電子株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 炭素固溶Ni(111)上におけるグラファイト(0001)テラスとカーボンナノワイヤの競合成長
• Graphene segregated on Ni surfaces and transferred to insulators
• CuNi合金における固溶炭素の表面析出現象とその応用
• Highly ordered graphene for two dimensional electronics