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J-GLOBAL ID：201003049042474806
熱電変換素子及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009033842
Publication number (International publication number)：2010192580
Application date： Feb. 17, 2009
Publication date： Sep. 02, 2010
Summary：
【課題】比較的容易に製造することができ、電気伝導性が高く且つ熱伝導性が低くて熱電変換効率が高い熱電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】SiO2基板21の上に、p型又はn型不純物が導入されたSi膜22を例えば3〜160nmの厚さに形成する。その後、イオン打ち込み装置を使用してSi膜22にSiO2からなる壁23をストライプ状に形成した後、Si膜22の表面を酸化させて、SiO2膜24を形成する。これにより、SiO2に囲まれた細長いSiからなるシリコンナノワイヤが形成される。上記の工程を繰り返し実施して積層構造を形成した後、所定の大きさに切断し、半導体ブロックとする。このようにして形成したp型半導体ブロックとn型半導体ブロックとを組み合わせて、熱電変換素子を形成する。【選択図】図7
Claim (excerpt)：
p型半導体ブロックと、n型半導体ブロックと、前記p型半導体ブロックと前記n型半導体ブロックとを電気的に接続する接続部とを有する熱電変換素子の製造方法において、
基板の上にp型不純物又はn型不純物が導入されたシリコン膜を形成する工程と、
前記シリコン膜に酸素を打ち込んで第1のシリコン酸化膜をストライプ状に形成し、前記シリコン膜を複数の領域に分割する工程と、
前記シリコン膜の表面を酸化させて第2のシリコン酸化膜を形成し、前記第1のシリコン酸化膜と前記第2のシリコン酸化膜とにより囲まれたシリコンワイヤを形成する工程と、
前記シリコンワイヤが形成された基板を切断して前記p型半導体ブロック又は前記n型半導体ブロックを形成する工程と
を有することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。
IPC (3)：
H01L 35/34
, H01L 35/32
, H01L 35/14
H01L35/34
, H01L35/32 A
, H01L35/14
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (1)
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