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J-GLOBAL ID：201103054405047469

導電性材料製又は半導体材料製のナノワイヤを用いたセーベック/ペルティエ効果を利用した双方向性の熱電気変換装置

Inventor：
ナルヅッシ ダリオ

About ナルヅッシ ダリオ


Applicant, Patent owner：
ウニベルジッタ デグリ スツディ ディ ミラノ-ビコッカ

About ウニベルジッタ デグリ スツディ ディ ミラノ-ビコッカ


Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011503524
Publication number (International publication number)：2011517109
Application date： Apr. 02, 2009
Publication date： May. 26, 2011
Summary：
【課題】セーベック効果を利用した双方向性の熱電気変換装置を提供する。【解決手段】 本発明の熱電気変換装置は、(A)平行に離間して配置された複数のナノワイヤ(2)からなるアレイと、前記ナノワイヤは、基板(1)の表面上に形成され、その断面又は幅は、40nm以下であり、(B)低熱伝導率の誘電体材料層と、前記誘電体材料層は、前記ナノワイヤの間のスペースを埋め、(C)導電性ストリップ(3)と、前記導電性ストリップは、前記アレイの両側に配置され、前記アレイのナノワイヤ(2)の端部を接続し、(D)導電性ワイヤ(4)と、前記導電性ワイヤ(4)は、あるアレイの導電性ストリップ(3)と別のアレイの導電性ストリップ(3)とを直列に接続し、(E)前記アレイのナノワイヤの両端に接触する2つの表面と、前記2つの表面は、それぞれ、温度差のある部分に接触している、を有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上に形成されたナノワイヤを用いたセーベック/ペルティエ効果を利用した双方向性の熱電気変換装置において、 (A)平行に離間して配置された複数のナノワイヤ(2)からなるアレイと、 前記ナノワイヤは、基板(1)の表面上に形成され、その断面又は幅は、40nm以下であり、 (B)低熱伝導率の誘電体材料層と、 前記誘電体材料層は、前記ナノワイヤの間のスペースを埋め、 (C)導電性ストリップ(3)と、 前記導電性ストリップは、前記アレイの両側に配置され、前記アレイのナノワイヤ(2)の端部を接続し、 (D)導電性ワイヤ(4)と 前記導電性ワイヤ(4)は、あるアレイの導電性ストリップ(3)と別のアレイの導電性ストリップ(3)とを直列に接続し、 (E)前記アレイのナノワイヤの両端に接触する2つの表面と 前記2つの表面は、それぞれ、温度差のある部分に接触している を有する ことを特徴とするナノワイヤを用いたセーベック/ペルティエ効果を利用した双方向性の熱電気変換装置。
IPC (4)：
H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  H01L 35/14 ,  H02N 11/00
FI (4)：
H01L35/32 A ,  H01L35/34 ,  H01L35/14 ,  H02N11/00 A
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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