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J-GLOBAL ID：201003049745851520

連続した膜を使用する集積されたMIS光電性デバイス

Inventor：
ライト、マイケル、ディーン

About ライト、マイケル、ディーン


Applicant, Patent owner：
バリアン・メディカル・システムズ・インコーポレイテッド

About バリアン・メディカル・システムズ・インコーポレイテッド


Agent (2)： 堀 明▲ひこ▼ ,  井上 克己
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009553660
Publication number (International publication number)：2010521816
Application date： Jan. 29, 2008
Publication date： Jun. 24, 2010
Summary：
【解決手段】金属・絶縁体半導体(MIS)フォトダイオードを有する集積された光電性デバイスは半導体材料の1つ以上の実質的に連続した層と、誘電性材料の実質的に連続した層とで構成される。
Claim (excerpt)：
集積された光電性デバイスを含む装置であって、 基板と、 金属・絶縁体半導体(MIS)フォトダイオードであって、そのフォトダイオードの少なくとも一部が前記基板の上に位置するところの金属・絶縁体半導体(MIS)フォトダイオードと、 を含み、 前記MISフォトダイオードは、 第一および第二の電極と、 一つ以上の誘電性層であって、該誘電性層の少なくとも一つの少なくとも一部分が前記第一と第二の電極の間に位置するところの誘電性層と、 一つ以上の半導体であって、該半導体の少なくとも一つの少なくとも一部分が前記一つ以上の誘電性層の一つと前記第一および第二の電極のうちの一つとの間に位置するところの半導体と、 第三の電極と、 を有し、 前記一つ以上の誘電性層の一部分の少なくとも一つが少なくとも誘電性材料の実質的に連続した層をもち、 前記一つ以上の半導体の一部分の少なくとも一つが少なくとも半導体材料の実質的に連続した層をもち、 前記第三の電極の一部が、少なくとも部分的に、前記第一および第二の電極のうちの一つの周囲にそって共通面にないように位置する、 ことを特徴とする装置。
IPC (3)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10
FI (3)：
H01L27/14 C ,  H01L27/14 K ,  H01L31/10 E
F-Term (20)：
4M118BA05 ,  4M118CA07 ,  4M118CA14 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118CB14 ,  4M118FB03 ,  4M118FB13 ,  4M118FB23 ,  5F049MA01 ,  5F049MB05 ,  5F049NA01 ,  5F049NA04 ,  5F049NB03 ,  5F049RA08 ,  5F049SE04 ,  5F049SS01 ,  5F049SZ11 ,  5F049UA14 ,  5F049WA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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