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J-GLOBAL ID:201003052996734290

ギ酸からの水素生成

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  出野 知 ,  鈴木 康義
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2009532941
Publication number (International publication number):2010506818
Application date: Oct. 17, 2007
Publication date: Mar. 04, 2010
Summary:
本発明は、ギ酸から水素ガスおよび二酸化炭素を触媒反応で生成する方法に関し、前記反応を、水性溶液で、広い温度範囲にわたって、およびすでに室温(25°C)で行う。本発明の反応は有利である。なぜならば、反応装置体積のリットル当たり約90リットルH2/分までのとても速い速度で起こるように調整することが可能であるからである。生成されたガスは一酸化炭素を含まない。本発明の方法は、原動機、燃料電池または化学合成のための水素の供給にとくに好適である。【選択図】図2
Claim (excerpt):
水素ガスおよび二酸化炭素を化学反応でギ酸から生成する方法であって、 前記反応は、 水性溶液の中で、 20〜200°Cの範囲内の温度で、 添加されたギ酸塩の存在下で、および 触媒の存在下で 行われ、 前記触媒は、一般式(I)の錯体を含み、 M(L)n (I) 式中、Mは、Ru、Rh、Ir、Pt、PdおよびOsから選択された金属であり、好ましくはRuであり、Lは、カルベン、または少なくとも1つのリン原子を含む配位子であり、該リン原子は、該金属に錯体結合によって結合されており、該リン配位子は、少なくとも1つの芳香族基および1つの親水基をさらに含み、nは1〜4の範囲内であり、 前記一般式(I)の錯体は、別の配位子を任意選択的に含み、そして、塩の形態で供給されるか、または中性である。
IPC (4):
C01B 3/22 ,  B01J 31/24 ,  H01M 8/06 ,  H01M 8/04
FI (4):
C01B3/22 Z ,  B01J31/24 M ,  H01M8/06 G ,  H01M8/04 G
F-Term (25):
4G140AB01 ,  4G140BA03 ,  4G140BB03 ,  4G140DA02 ,  4G140DB03 ,  4G140DC03 ,  4G140FE01 ,  4G169AA06 ,  4G169AA08 ,  4G169BA21A ,  4G169BA21B ,  4G169BA27A ,  4G169BA27B ,  4G169BC70A ,  4G169BC70B ,  4G169BE22B ,  4G169BE26B ,  4G169BE37B ,  4G169CC32 ,  4G169DA02 ,  4G169FA01 ,  5H027AA02 ,  5H027BA01 ,  5H027BA16 ,  5H027KK42
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (8)
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