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J-GLOBAL ID：201003054651707365

化合物半導体基板

Inventor：
石橋 恵二

About 石橋 恵二


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009009151
Publication number (International publication number)：2010163341
Application date： Jan. 19, 2009
Publication date： Jul. 29, 2010
Summary：
【課題】エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減が図られた化合物半導体基板、半導体デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体基板10は、III族窒化物で構成され、Cl換算で200×1010個/cm2以上12000×1010個/cm2以下の塩化物及びO換算で3.0at%以上15.0at%以下の酸化物を含む表面層12を表面に有する。これにより、化合物半導体基板10とその上に形成されるエピタキシャル層14との間の界面のSiが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減される。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
III族窒化物で構成され、Cl換算で200×1010個/cm2以上12000×1010個/cm2以下の塩化物及びO換算で3.0at%以上15.0at%以下の酸化物を含む表面層を表面に有する、化合物半導体基板。
IPC (4)：
C30B 29/38 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/306 ,  C30B 25/20
FI (7)：
C30B29/38 D ,  H01L33/00 C ,  H01L21/302 101B ,  H01L21/302 105B ,  H01L21/302 104C ,  H01L21/302 101E ,  C30B25/20
F-Term (39)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA02 ,  4G077DA05 ,  4G077DA18 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077SA06 ,  4G077SC08 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC17 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK10 ,  5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004DA00 ,  5F004DB19 ,  5F004EA38 ,  5F004FA08 ,  5F041AA21 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA99
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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