化合物半導体基板の研磨方法、化合物半導体基板、化合物半導体エピ基板の製造方法および化合物半導体エピ基板

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Applicant, Patent owner：
Agent (7)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 荒川伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007142109
Publication number (International publication number)：2008300422
Application date： May. 29, 2007
Publication date： Dec. 11, 2008
Summary：

【課題】化合物半導体基板の表面に存在する酸素を低減する化合物半導体基板の研磨方法、化合物半導体基板、化合物半導体エピ基板の製造方法および化合物半導体エピ基板を提供する。【解決手段】化合物半導体基板の研磨方法は、準備工程(S10)と、第1研磨工程(S20)と、第2研磨工程(S30)とを備えている。準備工程(S10)では、化合物半導体基板を準備する。第1研磨工程(S20)では、化合物半導体基板を、塩素元素を含む研磨剤を用いて研磨を行なう。第2研磨工程(S30)では、第1研磨工程(S20)後に、無機ビルダーを含有したpHが8.5以上13.0以下のアルカリ性水溶液を用いて研磨を行なう。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板を準備する準備工程と、前記化合物半導体基板を、塩素系研磨剤を用いて研磨を行なう第1研磨工程と、前記第1研磨工程後に、無機ビルダーを含有したpHが8.5以上13.0以下のアルカリ性水溶液を用いて研磨を行なう第2研磨工程とを備える、化合物半導体基板の研磨方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 , B24B 37/00

FI (3)：

H01L21/304 621D , H01L21/304 622W , B24B37/00 H

F-Term (3)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

特公平7-67666号公報
半導体結晶ウェハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-278300 Applicant：日立電線株式会社
半導体結晶ウェハの研磨方法及びその方法で得られるウェハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-327243 Applicant：日立電線株式会社

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Cited by examiner (5)

InPウエハの研磨液とInPウエハの研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-373466 Applicant：住友電気工業株式会社
化合物半導体基板の研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-161541 Applicant：株式会社ジャパンエナジー
特開平4-101782

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