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J-GLOBAL ID：201003059827694801

グラファイト膜製造方法

Inventor：
日方 威

About 日方 威

, 
藤田 淳一

About 藤田 淳一


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社

, 
国立大学法人 筑波大学

About 国立大学法人 筑波大学


Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008200869
Publication number (International publication number)：2010037128
Application date： Aug. 04, 2008
Publication date： Feb. 18, 2010
Summary：
【課題】再現性良く、大面積のグラファイト膜を容易に合成することができるグラファイト膜の製造方法を提供すること。【解決手段】炭素源の表面をGa蒸気に接触させることにより、前記炭素源の表面にグラファイト膜を形成する、グラファイト膜の製造方法に関する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
炭素源の表面をGa蒸気に接触させることにより、前記炭素源の表面にグラファイト膜を形成する、グラファイト膜の製造方法。
IPC (2)：
C01B 31/04 ,  B01J 23/08
FI (2)：
C01B31/04 101Z ,  B01J23/08 M
F-Term (24)：
4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01B ,  4G146AC20B ,  4G146AD22 ,  4G146AD29 ,  4G146AD30 ,  4G146BA01 ,  4G146BA12 ,  4G146BA41 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC04 ,  4G146BC16 ,  4G146BC32B ,  4G146BC33B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G169AA02 ,  4G169BC17A ,  4G169BC17B ,  4G169CB81 ,  4G169DA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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