半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：池田憲保 , 福田修一 , 佐々木敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005305955
Publication number (International publication number)：2007115903
Application date： Oct. 20, 2005
Publication date： May. 10, 2007
Summary：

【課題】レジストパターンのエッジラフネスを低減すると共にそのエッチング耐性を向上させることにより、特性ばらつきの少ない微細な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に形成されたレジストパターン5をマスクとして用いて半導体デバイスを製造する際に、レジストパターン5を液体金属溜め6内の液体金属(例えば、ガリウム、インジウム又はガリウムインジウム合金)の触媒効果を用いてグラファイト化処理する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたレジストパターンをマスクとして用いて半導体装置を製造するための半導体装置の製造方法において、上記基板上に形成されたレジストパターンを、ガリウム液体の触媒効果を用いてグラファイト化処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 , G03F 7/40

FI (2)：

H01L21/30 565 , G03F7/40 511

F-Term (5)：

2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096HA05 , 5F046LA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-013280 Applicant：三菱電機株式会社
カーボンナノチューブ作製用触媒パターン
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-135590 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 理化学研究所, 吾郷浩樹, 湯村守雄
集束イオンビーム装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-093825 Applicant：株式会社日立製作所

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