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J-GLOBAL ID:201003060254379319
インダクタ素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
西 和哉
, 志賀 正武
, 大浪 一徳
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008304437
Publication number (International publication number):2010129858
Application date: Nov. 28, 2008
Publication date: Jun. 10, 2010
Summary:
【課題】シンプルな工程で製造でき、しかも格段に特性向上が可能なインダクタ素子を提供する。【解決手段】本発明のインダクタ素子1は、凹部11Bと凸部11Aとが所定の配列方向1Aに沿って連続した表面形状の下地層11と、凹部11B上と凸部11A上とにわたって設けられ、配列方向1Aに向かって蛇行した導電膜パターン12とを備える。平面型の渦巻き状インダクタ素子よりも巻き数を増やすことが容易であり、小型でありながらインダクタンス値やQ値が高いインダクタンス素子になる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
凹部と凸部とが所定の配列方向に沿って連続した表面形状の下地層と、
前記凹部上と凸部上とにわたって設けられ、前記配列方向に向かって蛇行した導電膜パターンと、を備えていることを特徴とするインダクタ素子。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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半導体装置及び電子機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-343927
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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