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J-GLOBAL ID：201003061163268146

III族窒化物半導体単結晶の製造方法、及びIII族窒化物半導体単結晶基板の製造方法

Inventor：
大島 祐一

About 大島 祐一


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (7)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝 ,  今 智司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009057375
Publication number (International publication number)：2010208899
Application date： Mar. 11, 2009
Publication date： Sep. 24, 2010
Summary：
【課題】結晶成長におけるクラックの発生を低減することができ、高品質なIII族窒化物半導体単結晶を高速に製造できるIII族窒化物半導体単結晶の製造方法、及びIII族窒化物半導体単結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体からなり、単一の指数面の結晶成長面を有する種基板を準備する種基板準備工程S10と、結晶成長面上にIII族窒化物半導体単結晶をエピタキシャル成長させる結晶成長工程S20とを備え、結晶成長工程は、自発的に形成された低指数面からなる複数の結晶表面で囲みながらIII族窒化物半導体単結晶を成長させる工程であり、低指数面は、結晶面を表す個々の面指数をいずれも3以下とすることにより、結晶成長時の微細クラックの発生が抑制された高品質のGaNインゴットが得られる。続いて、GaNインゴットを切断工程S30で切断、スライスし、III族窒化物半導体単結晶のウエハを製造する。【選択図】図1A
Claim (excerpt)：
III族窒化物半導体からなり、単一の指数面の結晶成長面を有する種基板を準備する種基板準備工程と、 前記結晶成長面上にIII族窒化物半導体単結晶をエピタキシャル成長させる結晶成長工程と を備え、 前記結晶成長工程は、自発的に形成された低指数面からなる複数の結晶表面で囲みながら前記III族窒化物半導体単結晶を成長させる工程であり、前記低指数面は、結晶面を表す個々の面指数がいずれも3以下であるIII族窒化物半導体単結晶の製造方法。
IPC (3)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205
FI (3)：
C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  H01L21/205
F-Term (26)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077AB09 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EH01 ,  4G077FG16 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF11 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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