窒化物半導体結晶とその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006142914
Publication number (International publication number)：2007314357
Application date： May. 23, 2006
Publication date： Dec. 06, 2007
Summary：

【課題】特定の結晶面を備えていて高品質で表面が均一な窒化物半導体結晶を製造すること。【解決手段】表面に少なくともC面を備え、かつ、該C面と直接隣接する面がM面でもA面でもないことを特徴とする六方晶系の種結晶を用いて結晶成長することにより窒化物半導体結晶を製造する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

六方晶系の種結晶を用いて結晶成長により窒化物半導体結晶を製造する工程を含む窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記種結晶の表面が少なくともC面を備え、かつ、該C面と直接隣接する面がM面でもA面でもないことを特徴とする窒化物半導体結晶の製造方法。

IPC (5)：

C30B 29/38 , H01L 21/20 , C30B 23/08 , C30B 25/02 , H01L 21/205

FI (5)：

C30B29/38 D , H01L21/20 , C30B23/08 M , C30B25/02 Z , H01L21/205

F-Term (33)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DA05 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077EA07 , 4G077EC09 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EG04 , 4G077EG22 , 4G077EG25 , 4G077FJ01 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 5F045AB14 , 5F045AC13 , 5F045AF04 , 5F045AF13 , 5F045GH01 , 5F045GH08 , 5F152LL02 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LN02 , 5F152MM09 , 5F152MM10 , 5F152MM18 , 5F152NN09 , 5F152NN27 , 5F152NQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

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