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J-GLOBAL ID：201003061229467714

半導体物理量センサ

Inventor：
森口 裕亮

About 森口 裕亮

, 
吉田 仁

About 吉田 仁


Applicant, Patent owner：
パナソニック電工株式会社

About パナソニック電工株式会社


Agent (2)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008165467
Publication number (International publication number)：2010008127
Application date： Jun. 25, 2008
Publication date： Jan. 14, 2010
Summary：
【課題】可動電極が固定電極に貼り付くことを防止可能な半導体物理量センサを提供する。【解決手段】可動電極の表面上の適宜位置にはシリコン基板2を2段エッチングすることにより凸部13が形成されている。このような構成によれば、シリコン基板2と絶縁層20の対向面積を小さくすることができるので、シリコン基板2と絶縁層20を陽極接合する際にシリコン基板2が絶縁層20に貼り付くことを防止できる。また絶縁層20の下面20bの凸部13に対向する位置には金属膜14が形成されている。このような構成によれば、金属膜14がシリコン基板2と絶縁層20間の緩衝の役割を果たすので、シリコン基板2と絶縁層20を陽極接合する際にシリコン基板2が絶縁層20に貼り付くことをより確実に防止できる。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
物理量が加わることによって変位する可動電極としてのシリコン基板と、可動電極と対向する位置に固定電極が設けられた絶縁基板とを有し、可動電極の変位に伴う固定電極と可動電極間の静電容量の変化を検出することにより前記物理量を検出する半導体物理量センサであって、前記シリコン基板を2段エッチング処理することにより前記絶縁基板との対向面に形成された第1の凸部と、前記第1の凸部と対向する前記絶縁基板表面に形成された金属膜とを備えることを特徴とする半導体物理量センサ。
IPC (3)：
G01P 15/125 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84
FI (3)：
G01P15/125 Z ,  G01P9/04 ,  H01L29/84 Z
F-Term (9)：
4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA31 ,  4M112CA33 ,  4M112DA02 ,  4M112EA03 ,  4M112FA20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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